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  • 17

    May

    Explicación del sustantivo: XRF, EDS e ICP en el análisis de componentes

    1, XRF (fluorescencia de rayos X de fluorescencia de rayos X)Utilice este método para el análisis químico de superficie, pero debe comprar muestras estándar y dibujar curvas estándar. La muestra medida debe cumplir una serie de condiciones, como una superficie lisa y una composición uniforme. Si la composición no es uniforme, solo se puede decir que la composición de la micro-área medida por XRF e...
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  • 09

    Jun

    caracterización de nanomateriales - análisis de composición de nanopolvos

    la tecnología de caracterización y prueba es la forma fundamental de identificar científicamente los nanomateriales, comprender sus diversas estructuras, y evaluar sus propiedades especiales. el objetivo principal de la caracterización de los nanomateriales es determinar algunas propiedades físicas y químicas de los nanomateriales, como la morfología, el tamaño, el tamaño de las partículas, la com...
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  • 09

    Jun

    caracterización de nanomateriales-análisis estructural de nanopolvos

    la tecnología de caracterización y prueba es la forma fundamental de identificar científicamente los nanomateriales, comprender sus diversas estructuras, y evaluar sus propiedades especiales. el objetivo principal de la caracterización de los nanomateriales es determinar algunas propiedades físicas y químicas de los nanomateriales, tales como morfología, tamaño, tamaño de partícula, composición qu...
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  • 08

    Aug

    Una breve introducción a ICP-MS para el análisis elemental total químico

    El espectrómetro de masas de plasma de acoplamiento inductivo ICP-MS es un instrumento analítico que combina la tecnología ICP y la espectrometría de masas. Puede medir simultáneamente docenas de oligoelementos. El instrumento cubre una amplia gama de elementos, incluidos metales alcalinos, metales alcalinotérreos, metales de transición y otros metaloides, elementos de tierras raras, la mayoría de...
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  • 09

    Apr

    ¿Cuál es la razón del desplazamiento de los picos de XRD (difracción de rayos X)?

    Las razones del cambio de hora punta endifracción de rayos X(difracción de rayos X) suelen implicar cambios en las propiedades de la propia muestra o la influencia de las condiciones experimentales, que pueden analizarse desde los siguientes aspectos:1. Factores de muestra1.1 Esfuerzo residual o deformación reticular Esfuerzo residual: El esfuerzo residual dentro del material (como el esfuerzo de ...
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