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polvo de tungsteno esférico 100% nano de alta pureza 100nm

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polvo de tungsteno esférico 100% nano de alta pureza 100nm

Tamaño: 50nm, 80nm, 100nm, 1-3um

Pureza: 99.9%

CAS no: 7440-33-7

ENINEC No.:231-143-9
Aspecto: polvo negro

Forma: esférica

  • Marca:

    SAT NANO
  • Artículo No.:

    MP74-100N
  • Pago:

    TT, Paypal, WU
  • Origen del producto:

    China
  • Color:

    black
  • Puerto de embarque:

    Shenzhen, Shanghai
  • Tiempo de espera:

    1-5days
  • Orden mínima:

    100g
  • Detalles de producto

Especificación del polvo de tungsteno esférico:

Parte No. Partícula

Pureza

(%)

SSA

(m2 / g)

Densidad a granel

(g / cm3)

Densidad

(g / cm3)

Cristal Color
MP74-50N 50nm 99.9
10 3.2 19.3 Esférico negro
MP74-100N
100nm 99.9 7 3.8 19.3 Esférico negro
MP74-1U
1-3um 99.9 2.5 4.6 19.3 Esférico negro

Nota: Podemos suministrar productos de diferentes tamaños de polvo esférico de tungsteno según los requisitos del cliente.

Las partículas de nanopolvo son un tratamiento de pasivización de superficie específica, alta, alta y uniforme después de que el polvo se puede controlar con un contenido de oxígeno de menos del 1%.


Aplicación de polvo esférico de tungsteno:

1 Las nanopartículas de tungsteno se usan ampliamente en aleaciones pesadas, aceros aleados, taladros, martillos y otros productos principales de gran tamaño;

2 El polvo de nano tungsteno altamente activo se puede utilizar como polvo de materia prima aditiva de alta aleación de alto rendimiento (cantidad del 10% al 20%) y como aditivo de preparación para barras de tungsteno y alambre de tungsteno.

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SEM y amp; XRD de polvo de tungsteno esférico:

Condiciones de almacenaje:
El polvo esférico de tungsteno debe sellarse y almacenarse en un ambiente seco y fresco. No debe exponerse al aire durante un tiempo prolongado, evitar la aglomeración debido a la humedad, afectar el rendimiento de la dispersión y el efecto de uso, evitar una presión fuerte, no entrar en contacto con el oxidante y transportarse de acuerdo con los productos comunes.

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